|
Лабораторная работа 1
Тема: "
Исследование биполярного транзистора"
Цель: Получение входных и выходных характеристик транзистора.
Приборы и элементы: Биполярный транзистор 2N3904, источник постоянной ЭДС, источник переменной ЭДС, амперметры, вольтметры, осциллограф, резисторы.
Ход работы:
1. Получение выходной характеристики транзистора в схеме с ОЭ.
а) В схеме (рис. 1) провели измерения тока коллектора IК
для каждого значения ЕК
и ЕБ
и заполнили таблицу 1 в разделе «Результаты экспериментов». По данным таблицы построили график зависимости IК
от Ек
.
б) Построили схему, изображенную на рис. 2. Включили схему. Зарисовали осциллограмму выходной характеристики, соблюдая масштаб, в разделе «Результаты экспериментов». Повторили измерения для каждого значения ЕБ
из таблицы 1. Осциллограммы выходных характеристик для разных токов базы зарисовали в разделе «Результаты экспериментов» на одном графике.
Рисунок 1. – Схема биполярного транзистора с ОЭ
в) По выходной характеристике нашли коэффициент передачи тока рас при изменении базового тока с 10 µА до 30 µА, Ек
= 10 В. – Результат записали в раздел «Результаты экспериментов».
Таблица 1. – Результаты экспериментов
| |
|
|
|
Ek
|
|
|
|
| Eb
|
Ib(mkA)
|
0,1
|
0,5
|
1
|
5
|
10
|
20
|
| 1,66
|
9.245
|
0,783
|
1,604
|
1,622
|
1,673
|
1,749
|
1,901
|
| 2,68
|
19.23
|
1,656
|
3,453
|
3,469
|
3,595
|
3,753
|
4,069
|
| 3,68
|
29.11
|
2,479
|
5,209
|
5,233
|
5,422
|
5,657
|
6,129
|
| 4,68
|
39.02
|
3,269
|
6,903
|
6,934
|
7,182
|
7,493
|
8,115
|
| 5,7
|
49.15
|
4,042
|
8,656
|
8,606
|
8,914
|
9,29
|
10,07
|
Рисунок 2. – График зависимости тока от напряжения
2. Получение входной характеристики транзистора в схеме с ОЭ.
а) На схеме (рис. 1) установили значение напряжения источника Ек
равным 10 В и провели измерения тока базы iБ
, напряжения база-эмиттер U6э, тока эмиттера IЭ
для различных значений напряжения источника Eg в соответствии с таблицей 10.2 в разделе «Результаты экспериментов». Обратили внимание, что коллекторный ток примерно равен току в цепи эмиттера.
б) В разделе «Результаты экспериментов» по данным таблицы 2 построили график зависимости тока базы от напряжения база-эмиттер.
в) Построили схему, изображенную на рис 3. Включили схему. Зарисовали входную характеристику транзистора, соблюдая масштаб, в разделе «Результаты экспериментов»
Рисунок 3. – Схема биполярного транзистора с ОЭ.
г) По входной характеристике нашли сопротивление rВХ
при изменении базового тока с 10 µA до 30 µА Результат записали в раздел «Результаты экспериментов».
Рисунок 4. – Показания осциллографа
Таблица 2. – Результаты экспериментов
| Eб
|
1,66
|
2,68
|
3,68
|
4,68
|
5,7
|
| Iб
|
9,245
|
19,23
|
29,11
|
39,02
|
49,15
|
| Uбэ
|
735,5
|
757,1
|
769,3
|
778,2
|
785,3
|
| Ik
|
1,749
|
3,753
|
5,657
|
7,493
|
9,299
|
Рисунок 5. – График зависимости тока от напряжения
Рисунок 6. – Схема биполярного транзистора с ОЭ
Рисунок 7. – Показания осциллографа
|
