МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ УКРАИНЫ
СУМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ
Кафедра автоматики и промышленной электроники
Курсовая работа
по курсу
“Аналоговая схемотехника”
“Проектирование усилителя низкой частоты”
Выполнил: студент
Гр. ЭС-91
Руководитель: Дудник А.Б.
Сумы - 2002
Содержание
Введение
1. Выбор принципиальной схемы
2. Расчет выходного каскада
3. Расчет предоконечного каскада
4. Расчет входного каскада
5. Уточнение параметров схемы и расчет обратной связи
6. Расчет элементов связи
Литература
Усилителями называют устройства, в которых сравнительно маломощный входной сигнал управляет передачей значительно большей мощности из источника питания в нагрузку. Наибольшее распространение получили усилители, построенные на полупроводниковых усилительных элементах (биполярных и полевых транзисторах); в последние годы усилители преимущественно используются в виде готовых неделимых компонентов - усилительных ИМС. Простейшая ячейка, позволяющая осуществить усиление, называется усилительным каскадом.
Электрические сигналы, подаваемые на вход усилителей, могут быть чрезвычайно разнообразны; это могут быть непрерывно изменяющиеся величины, в частности гармонические колебания, однополярные и двухполярные импульсы. Как правило, эти сигналы пропорциональны определенным физическим величинам. В установившихся режимах многие физические величины постоянны либо изменяются весьма медленно (напряжение и частота сети, частота вращения двигателя, напор воды на гидроэлектростанции). В переходных и особенно аварийных режимах те же величины могут изменяться в течение малых промежутков времени. Поэтому усилитель должен обладать способностью усиливать как переменные, так и постоянные или медленно изменяющиеся величины. Такие усилители являются наиболее универсальными и распространенными. По традиции их называют усилителями постоянного тока (УПТ), хотя такое название и не вполне точно: УПТ усиливают не только постоянную составляющую (приращение сигнала) и в подавляющем большинстве случаев они являются усилителями напряжения, а не тока. В УПТ нельзя связывать источник и приёмник сигнала через трансформаторы и конденсаторы, которые не пропускают постоянной составляющей сигнала. Это условие вызывает некоторые трудности при создании УПТ, но оно же обусловило ещё большее распространение УПТ с появлением микроэлектроники: УПТ не содержат элементов, выполнение которых в составе ИМС невозможно (трансформаторы и конденсаторы большой ёмкости).
Наряду с применением основного типа усилителей - УПТ - в ряде случаев оказывается целесообразным использование усилителей с ёмкостной связью. Применение ёмкостной связи между каскадами усилителей в настоящее вышло из употребления, так как конденсаторы с большой ёмкостью невыполнимы в виде элементов ИМС.
Достоинством усилителей с ёмкостной связью является отсутствие дрейфа нуля: конденсаторы не пропускают постоянной составляющей, в том числе напряжение дрейфа.
Находим максимальную мощность Pвх
сигнала на входе усилителя, которую можно получить при равенстве входного сопротивления Rвх
усилителя и внутреннего выходного сопротивления Rген
источника сигнала:
(1.1)
где eген
- величина ЭДС источника сигнала;
Rген
- внутреннее сопротивление источника сигнала.
Требуемый коэффициент усиления по мощности всего усилителя:
(1.2)
где a
p
= (1,1¸1,3) - коэффициент запаса по мощности;
- мощность, выделяемая в нагрузку.
Выразим коэффициент усиления в децибелах по формуле:
(1.3)
Определим ориентировочное число каскадов, считая, что каждый каскад может обеспечивать усиление мощности примерно на 20дб
.
(1.4)
Составим структурную схему (рисунок 1.1):
Рисунок 1.1 - Структурная схема усилителя: ВхК - входной каскад, обеспечивающий главным образом согласование с источником сигнала; ПК - промежуточный каскад; ПОК - предоконечный каскад; ВК - выходной сигнал, работающий непосредственно на нагрузку
Составив структурную схему, можно рассчитать выходной и входной каскады.
Рисунок 2.1 - Бестрансформаторный выходной каскад
Выбор выходных транзисторов.
Амплитудное значение коллекторного напряжения транзистора VT3 (VT4) (см. рис.2.1):
(2.1)
где Uн
- эффективное значение напряжения на нагрузке в В
.
Амплитуда импульса коллекторного тока транзистора VT3 (VT4):
(2.2)
Мощность, выделяемая каскадом в нагрузке:
(2.3)
Необходимое напряжение источника питания:
(2.4)
где k1
= (1,01¸1,1) - коэффициент запаса по напряжению;
rнас
= (0,1¸1) - внутреннее сопротивление транзистора в режиме насыщения.
Выберем напряжение источника питания равным 15В
.
Ориентировочная мощность, рассеиваемая на коллекторе транзистора:
(2.5)
По следующим неравенствам выбираем транзисторы VT3 (VT4):
(2.6)
По справочнику [11] выбран транзистор KT817Б со следующими параметрами:
- максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность на коллекторе;
- максимально допустимое постоянное напряжение между коллектором и эммитером;
- максимально допустимый постоянный ток коллектора;
- коэффициент передачи тока базы минимальный;
- максимально допустимая температура перехода;
- тепловое сопротивление подложка-корпус;
- обратный ток коллектора.
Выходные и входные характеристики изображены на рисунках 3 и 4.
После предварительного выбора транзисторов VT3 и VT4 нужно проверить их мощностные показатели при наибольшей температуре окружающей среды по формуле:
(2.7)
где - номинально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора при максимальной температуре коллекторного перехода, Вт
;
где tв
- верхнее значение диапазона рабочих температур, °
С.
Поскольку , то выбранные транзисторы подходят.
Выбор режима работы по постоянному току и построение линий нагрузки. Ток покоя коллектора I0
k3
транзисторов VT3 и VT4:
(2.8)
где Ik
о
max
(50°
C) =1500мкА
берётся в справочнике [11].
I0
k3
<
Ik
доп
- это значит, что транзисторы выбраны правильно.
На семействе выходных характеристик транзисторов VT3 (VT4) строятся нагрузочные прямые по переменному току с координатами (см. рис.2.2):
А (I0k3
; E
п
); В (I0k3
+Ikm3
; E
п
-Ukm3
); (2.9)
А (30мА
; 15В
); В (0.88А
; 1.74В
);
Соответствующие значения токов переносятся на входные характеристики (рис.2.3): Uб
m3
=0,54В
- амплитудное значение напряжения на базо-эмиттерном переходе; U0б3
=0,6В
- напряжение покоя базы; Uб3
max
=1,14В
- максимальное значение напряжения на базо-эмиттерном переходе; Iб
m3
=57мА
- амплитудное значение тока базы; I0б3
=1,78мА
- ток покоя базы; Iб3
max
=55.22мА
- максимальное значение тока базы.
Входное сопротивление базо-эмиттерного перехода транзисторов VT3 (VT4):
(2.10)
Номинал резисторов R3
и R4
для мощных транзисторов:
(2.11)
Мощность, выделяемая на резисторах R3
и R4
:
(2.12)
Выбор предвыходных транзисторов и режимов работы их по постоянному току. Построение линии нагрузки
Ток покоя эмиттера транзисторов VT1 (VT2) (см. рис.1.1):
(2.13)
Амплитудное значение тока эмиттера транзисторов VT1 (VT2):
(2.14)
Принимается . По следующим неравенствам выбираются транзисторы VT1, VT2:
По справочнику [11] выбраны транзисторы KT814Б (p-n-p) и КТ815Б (n-p-n) со следующими параметрами:
Для построения линии нагрузки по переменному току транзисторов VT1 (VT2) выбираются следующие координаты точек A’ и A”:
, (2.15)
.
Переносим точки A’ и A" на входные характеристики транзисторов VT1 (VT2) (рис.2.4).
По графику (рис.2.4) определяются следующие параметры:
- амплитудное значение напряжения на базе;
- амплитудное значение тока базы;
- ток покоя базы транзистора;
- напряжение покоя базы.
Определение основных параметров выходного каскада
Выходное сопротивление базо-эмиттерного перехода транзистора VT1 (VT2):
(2.16)
Входное сопротивление верхнего плеча выходного каскада на VT1 и VT3:
(2.17)
Входное сопротивление нижнего плеча выходного каскада на VT2 и VT4:
(2.18)
Амплитудное значение входного напряжения:
- верхнего плеча (VT1,VT3):
(2.19)
- нижнего плеча (VT2,VT4):
(2.20)
Требуемое падение напряжения Uод
на диодах VD1, VD2 при токе
(2.21)
равно:
(2.22)
По справочнику [4] выбираются диоды. Прямой ток (средний) должен быть больше 0,14мА
, прямое напряжение должно быть больше 1,815В
. Выбирается диод Д7Г со следующими параметрами:
- Средний прямой ток 8мА
;
-При токе 0,27мА
на диоде происходит падение напряжения равное 0.7В
, поэтому необходимо брать 3 диодов.
Сопротивление резисторов R1
и R2
делителя
(2.23)
Мощность, выделяемая на резисторах R1
и R2
:
(2.24)
Входное сопротивление верхнего плеча каскада с учетом R1
и R2
:
(2.25)
Входное сопротивление нижнего плеча каскада:
(2.26)
Коэффициент усиления по напряжению:
- верхнего плеча:
(2.27)
- нижнего плеча:
(2.28)
- среднее значение:
(2.29)
Коэффициент полезного действия всего каскада:
(2.30)
Мощность на выходе каскада:
(2.31)
Поправка к схеме
Рисунок 2.5 - Уточнённый бестрансформаторный выходной каскад Выбирается транзистор VT0 КТ3102А со следующими параметрами:
Мощностные показатели при наибольшей температуре окружающей среды (см. формулу 2.7):
Поскольку , то выбранный транзистор подходит.
Определяются следующие токи:
Нахождение сопротивления Rэ
и Cэ
:
(2.32)
(2.33)
Мощность, выделяемая на резисторе Rэ
:
(2.34)
Определение сопротивлений R’ и R”:
(2.35)
(2.36)
Мощность, выделяемая на резисторах R’
и R”
:
(2.37)
Уточнённое значение мощности рассеивания одним транзистором VT3 (или VT4):
(2.38)
Тепловое сопротивление корпус-среда:
(2.39)
Площадь радиатора:
(2.40)
где KT
=0,0012¸0,014 Вт
×см2
×град-1
- коэффициент теплоотдачи.
Сквозной коэффициент усиления:
(3.1)
Рисунок 3.1 - Схема предоконечного каскада
Поскольку Kскв
очень большой, то на входе нужны: предоконечный и входной - каскады с общим эммитером.
Выбирается транзистор VT КТ3102Е со следующими параметрами:
Принимается
Тогда
Допускается, что напряжение в точке В UB
=24В
. Тогда напряжение в точке А будет
.
Сопротивление резисторов R1
и R2
делителя:
(3.2)
Мощность, выделяемая на резисторах R1
и R2
:
(3.3)
Сопротивление R4
:
(3.4)
Мощность, выделяемая на резисторе R4
:
(3.5)
Сопротивление Rэ
:
(3.6)
где UR
э
=UB
/10=3В
.
Мощность, выделяемая на резисторе Rэ
:
(3.7)
(3.8)
Напряжение база-эмиттер:
(3.9)
Здесь
Из уравнения (3.6) определяется rб
:
(3.10)
Входное сопротивление каскада:
(3.11)
Сопротивление Rk
:
(3.12)
Мощность, выделяемая на резисторе Rк
:
(3.13)
Выходное сопротивление каскада (учитывая, что rk
>>
Rk
):
(3.14)
Определение амплитудных токов на базе и коллекторе:
(3.15)
(3.16)
Тогда
(3.17)
(3.18)
Коэффициент усиления по напряжению предоконечного каскада:
(3.19)
Схема входного каскада представлена на рис.5.1.
Рисунок 5.1 Схема входного каскада
Выбирается транзистор VT КТ3102Г со следующими параметрами:
Принимается Тогда
Напряжение в точке А будет
.
Сопротивление резисторов R1
и R2
делителя:
(5.1)
Мощность, выделяемая на резисторах R1
и R2
:
(5.2)
Сопротивление Rэ
:
(5.3)
Мощность, выделяемая на резисторе Rэ
:
(5.4)
(5.5)
Напряжение база-эмиттер:
(5.6)
Здесь
Из уравнения (3.6) определяется rб
:
(5.7)
Входное сопротивление каскада:
(5.8)
Сопротивление Rk
:
(5.9)
Мощность, выделяемая на резисторе Rк
:
(5.10)
Выходное сопротивление каскада (учитывая, что rk
>>
Rk
):
(5.11)
Определение амплитудных токов на базе и коллекторе:
(5.12)
(5.13)
Тогда
(5.14)
(5.15)
Коэффициент усиления по напряжению предоконечного каскада:
(5.16)
Сквозной коэффициент усиления по напряжению получился равным
(6.1)
где - коэффициент усиления по напряжению предоконечного каскада;
- коэффициент усиления по напряжению промежуточного каскада;
- коэффициент усиления по напряжению входного каскада.
Сравнивая полученный сквозной коэффициент усиления по напряжению (6.1) с необходимым (3.1), можно сделать вывод, что в схему надо добавить ещё один промежуточный каскад. Этот каскад будет аналогичным рассчитанному ранее промежуточному каскаду в пункте 4 (иметь те же параметры). Коэффициент усиления по напряжению второго промежуточного каскада будет равен 10,76.
Теперь сквозной коэффициент усиления по напряжению будет
(6.2)
Для стабилизации режима покоя в каскад вводят обратную связь (ОС). Обратной связью называется передача информации (или энергии) с выхода устройства или системы на его вход.
Если на входе складываются сигналы разных знаков, то ОС является отрицательной (ООС). В этом случае на входе схемы действует разностный сигнал, который меньше входного. Выходной сигнал при этом уменьшается. Однако при применении ООС увеличивает стабильность выходной величины: ООС по напряжению стабилизирует напряжение, ООС по току стабилизирует ток и т.д.
В этом случае коэффициент усиления по напряжению усилителя принимает следующий вид:
(6.3)
где K
- коэффициент усиления по напряжению (без обратной связи) участка схемы, охватывающего обратную связь. В данном случае он равен коэффициенту усиления по напряжению всего усилителя (без обратной связи):
(6.4)
Коэффициент j
:
(6.5)
где R’
выбирается 10Ом
, а RОС
- порядка 10кОм.
Таким образом коэффициент усиления по напряжению усилителя, охватывающего ООС, уменьшается в (1+
jK)
раз. Коэффициент усиления по напряжению усилителя необходимо уменьшить в
раз.
Можно записать:
Откуда j
=6/K
.
Тогда
(6.6)
В результате определяется требуемый коэффициент усиления по напряжению усилителя будет равен:
(6.7)
Сквозной коэффициент усиления по напряжению получился равным
(6.1)
где - коэффициент усиления по напряжению предоконечного каскада;
- коэффициент усиления по напряжению промежуточного каскада;
- коэффициент усиления по напряжению входного каскада.
Сравнивая полученный сквозной коэффициент усиления по напряжению (6.1) с необходимым (3.1), можно сделать вывод, что в схему надо добавить ещё один промежуточный каскад. Этот каскад будет аналогичным рассчитанному ранее промежуточному каскаду в пункте 4 (иметь те же параметры). Коэффициент усиления по напряжению второго промежуточного каскада будет равен 10,76.
Теперь сквозной коэффициент усиления по напряжению будет
(6.2)
Для стабилизации режима покоя в каскад вводят обратную связь (ОС). Обратной связью называется передача информации (или энергии) с выхода устройства или системы на его вход.
Если на входе складываются сигналы разных знаков, то ОС является отрицательной (ООС). В этом случае на входе схемы действует разностный сигнал, который меньше входного. Выходной сигнал при этом уменьшается. Однако при применении ООС увеличивает стабильность выходной величины: ООС по напряжению стабилизирует напряжение, ООС по току стабилизирует ток и т.д.
В этом случае коэффициент усиления по напряжению усилителя принимает следующий вид:
(6.3)
где K
- коэффициент усиления по напряжению (без обратной связи) участка схемы, охватывающего обратную связь. В данном случае он равен коэффициенту усиления по напряжению всего усилителя (без обратной связи):
(6.4)
Коэффициент j
:
(6.5)
где R’
выбирается 10Ом
, а RОС
- порядка 10кОм.
Таким образом коэффициент усиления по напряжению усилителя, охватывающего ООС, уменьшается в (1+
jK)
раз. Коэффициент усиления по напряжению усилителя необходимо уменьшить в
раз.
Можно записать:
Откуда j
=6/K
.
Тогда
(6.6)
В результате определяется требуемый коэффициент усиления по напряжению усилителя будет равен:
(6.7)
Распределение фазовых сдвигов:
Для входного каскада:
(7.1)
Для предоконечного и промежуточных каскадов:
(7.2)
(7.3)
Для выходного каскада:
(7.4)
(7.5)
R1
, R2
, R5
, R6
, R9
, R10
, R13
, R14
|
ВС-1-0,125-6,2кОм-10%
|
R3
, R7
, R11
, R15
|
ВС-1-1-68Ом-10%
|
R4
, R8
, R12
, R16
|
ВС-1-0,5-30Ом-10%
|
R17
|
ВС-1-0,125-3,9МОм-10%
|
R18
, R19
,
|
ВС-1-0,125-240кОм-10%
|
R20
|
ВС-1-0,125-13кОм-10%
|
R21
, R22
|
ВС-1-0,125-1кОм-10%
|
Rн
|
ВС-1-20-11Ом-10%
|
Rф
|
ВС-1-1-62Ом-10%
|
Rос
|
ВС-1-0,125-22кОм-10%
|
R’
|
ВС-1-20-10Ом-10%
|
С1
|
К50-6-50В-2мкФ- (-20¸+80)%
|
С2
, С4
, С6
, С8
|
К50-6-10В-10мкФ- (-20¸+80)%
|
С3
, С5
, С7
|
К50-6-16В-5мкФ- (-20¸+80)%
|
С9
|
К50-9-3В-0,5мкФ- (-10¸+100)%
|
С10
|
К75-42-1600В-0,0033мкФ-10%
|
С11
|
К50-6-10В-50мкФ- (-20¸+80)%
|
Сф
|
К50-22-50В-1500мкФ- (-20¸+50)%
|
VT1-VT5
|
KT-3102A
|
VT6
|
КТ-814Б
|
VT7
|
KT-815Б
|
VT8,VT9
|
KT-817Б
|
VD1-VD6
|
Д2Ж
|
1. Аронов В.А., Баюков А.В. и др. Полуроводниковые приборы: Транзисторы. Справочник. - М.: Энергоиздат, 1982.
2. Гальперин Н.В. Практическая схемотехника в промышленной электронике. - М.: Радио и связь, 1987.
3. Гершунский Б.С. Справочник по расчету электронных схем. - М.: Наука, 1983.
4. Гитцевич А.Б., Зайцев А.А. и др. Полупроводниковые приборы. Диоды выпрямительные, стабилитроны, тиристоры: Справочник. - М.: КубК-а, 1996.
5. Горбачев Г.Н., Чаплыгин Е.Е. Промышленная электроника. - М.: Энергоатомиздат, 1988.
6. Гусев В.Г., Гусев Ю.М. Электроника. - М: Радио и связь, 1985.
7. Гутников В.С. Интегральная электроника в измерительных устройствах. - М.: Энергоатомиздат, 1988.
8. Доршков А.В., Полонский А.Д. Методические указания к курсовому проекту “Проектирование усилителя низкой частоты". - Сумы: СФТИ, 1993.
9. Дьяконов М.Н., Карабанов В.И. и др. Справочник по электрическим конденсаторам. - М.: Радио и связь, 1983.
10. Забродин Ю.С. Промышленная электроника. - М.: Энергоатом-издат, 1988., 1982.
11. Лавриненко В.Ю. Справочник по полупроводниковым приборам. - М.: Радио и связь, 1984.
12. Манаев Е.И. Основы радиоэлектроники. - М.: Энергоатомиздат, 1985.
|