Лабораторная работа 2
Тема:
Исследование биполярного транзистора
Цель:
Получение входных и выходных характеристик транзистора
Приборы и элементы:
биполярный транзистор 2N3904; источник постоянной ЭДС; источник переменной ЭДС; амперметры; вольтметры; осциллограф; резисторы.
Ход работы:
1. Получение выходной характеристики транзистора в схеме с ОЭ.
Рисунок 1. Включение биполярного транзистора по схеме с общим эмиттером
Таблица 1. Результат эксперимента
|
Ек(В)
|
Еб(В)
|
Iб(мкА)
|
0,1
|
0,5
|
1
|
5
|
10
|
20
|
1,66
|
9,341
|
-783,3
|
-1,604
|
-1,612
|
-1,637
|
-1,749
|
-1,901
|
2,68
|
19,23
|
-1,656
|
-3,453
|
-3,469
|
-3,595
|
-3,753
|
-4,069
|
3,68
|
29,32
|
-2,479
|
-5,209
|
-5,233
|
-5,422
|
-5,657
|
-6,129
|
4,68
|
39,02
|
-3,269
|
-6,903
|
-6,934
|
-7,182
|
-7,439
|
-8,115
|
5,7
|
49,15
|
-4,042
|
-8,568
|
-8,606
|
-8,914
|
-9,299
|
-10,07
|
2. Получение входной характеристики транзистора в схеме с ОЭ.
а) На схеме (рис. 2) установить значение напряжения источника Ек
равным 10 В и провести измерения тока базы iБ
, напряжения база-эмиттер U6э, тока эмиттера IЭ
для различных значений напряжения источника Eg в соответствии с таблицей 10.2 в разделе "Результаты экспериментов". Обратить внимание, что коллекторный ток примерно равен току в цепи эмиттера.
б) В разделе "Результаты экспериментов" по данным таблицы 10.2 построить график зависимости тока базы от напряжения база-эмиттер.
Рисунок 2
в) Построить схему, изображенную на рис 3. Включить схему. Зарисовать входную характеристику транзистора, соблюдая масштаб, в разделе "Результаты экспериментов".
Рисунок 3
г) По входной характеристике найти сопротивление rВХ
при изменении базового тока с 10 µA до 30 µА. Результат записать в раздел "Результаты экспериментов".
Контрольные вопросы
1. Дать определение транзистора.
2. Виды и типы транзисторов.
3. Режимы работы транзисторов.
|